レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリ（ReRAM）は新興の非揮発性メモリ技術であり、従来のメモリ技術に比べて多くの利点を持つため、コンピューティング業界で注目を集めています。ReRAMはメモリスターの抵抗を利用してデータを格納し、この2端子デバイスの抵抗はかかった電圧の履歴によって影響を受けます。このユニークな特性により、ReRAMは1つのセルに複数の情報ビットを格納することができ、従来のメモリ技術よりも高い記憶密度を実現します。
ReRAMの重要な利点の1つは、低消費電力です。DRAMなどの揮発性メモリ技術とは異なり、ReRAMは常時リフレッシュを必要としないため、電力要件が低減されます。その結果、ReRAMは特にモバイルデバイスやウェアラブル電子機器などの電力制約のあるアプリケーションに適しています。
低消費電力に加え、ReRAMは従来のDRAMに比べて高速なアクセスと読み取り速度を示します。この特性により、人工知能や機械学習などの高性能を必要とする要求の厳しいアプリケーションに非常に適しています。
主要な企業、例えばインテル、サムスン、マイクロンなどがReRAMの開発に重要な投資を行っており、コンピューティング業界はReRAMの潜在的な可能性に注目しています。将来的には、ReRAMがコンピュータの主要なメモリ技術としてDRAMの代替になることが期待されています。